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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten TK62J60W,S1VQ
VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 3.1mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P(N) |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 400W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen | TK62J60W,S1VQ(O TK62J60WS1VQ |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 300V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Super Junction |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 61.8A (Ta) |