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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS64WV25616EDBLL-10BA3
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 10ns |
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Spannungsversorgung | 2.4 V ~ 3.6 V |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 48-TFBGA (6x8) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 48-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-TFBGA (6x8) |
Zugriffszeit | 10ns |