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APTM10TDUM19PG
- Mega -Quelle #: MEGA-APTM10TDUM19PG
- Hersteller: Microsemi
- Verpackung: Bulk
- Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 50675
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten APTM10TDUM19PG
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | SP6-P |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Leistung - max | 208W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP6 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Typ FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A |
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APTM10TDUM19PG FAQ
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