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ZXMN10A08DN8TA
- Mega -Quelle #: MEGA-ZXMN10A08DN8TA
- Hersteller: Diodes Incorporated
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten ZXMN10A08DN8TA
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | ZXMN10A08DN8TACT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.6A |
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