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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS62WV5128DALL-55T2LI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 55ns |
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Spannungsversorgung | 1.65 V ~ 2.2 V |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 32-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP II |
Zugriffszeit | 55ns |