Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von AS4C512M8D3L-12BCNTR bereitgestellt werden.
vorrätig: 57011
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten AS4C512M8D3L-12BCNTR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
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Spannungsversorgung | 1.283 V ~ 1.45 V |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Supplier Device-Gehäuse | 78-FBGA (9x10.5) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5) |
Uhrfrequenz | 800MHz |
Zugriffszeit | 20ns |