Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von AS4C4M16S-6TIN bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten AS4C4M16S-6TIN
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 2ns |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 54-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen | 1450-1008 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II |
Uhrfrequenz | 166MHz |
Zugriffszeit | 5.4ns |