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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IDH08G65C5XKSA1
Spannung - Spitzensperr- (max) | Silicon Carbide Schottky |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 8A (DC) |
Spannung - Durchschlag | PG-TO220-2 |
Serie | thinQ!™ |
RoHS Status | Tube |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Widerstand @ If, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
Polarisation | TO-220-2 |
Andere Namen | IDH08G65C5 IDH08G65C5-ND SP000925204 |
Betriebstemperatur - Anschluss | 0ns |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | IDH08G65C5XKSA1 |
Expanded Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
Diodenkonfiguration | 280µA @ 650V |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1.7V @ 8A |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 650V |
Kapazität @ Vr, F | -55°C ~ 175°C |