vorrätig: 56067
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PQMD2Z
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | DFN1010B-6 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Leistung - max | 230mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-XFDFN Exposed Pad |
Andere Namen | 1727-2712-2 568-13233-2 568-13233-2-ND 934069746147 PQMD2Z-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 230MHz, 180MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |