Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IS62WV6416ALL-55BI bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS62WV6416ALL-55BI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 55ns |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 2.2 V |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 48-miniBGA (6x8) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 48-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1Mb (64K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 55ns 48-miniBGA (6x8) |
Zugriffszeit | 55ns |