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APT50GP60B2DQ2G
- Mega -Quelle #: MEGA-APT50GP60B2DQ2G
- Hersteller: Microsemi
- Verpackung: Tube
- Beschreibung: IGBT 600V 150A 625W TMAX
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53637
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten APT50GP60B2DQ2G
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 19ns/85ns |
| Schaltenergie | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Leistung - max | 625W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 165nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 190A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 150A |
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