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NTS10100EMFST1G
- Mega -Quelle #: MEGA-NTS10100EMFST1G
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 52405
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NTS10100EMFST1G
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 10A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Andere Namen | NTS10100EMFST1GOSCT |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Schottky |
| detaillierte Beschreibung | Diode Schottky 100V 10A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50µA @ 100V |
| Strom - Richt (Io) | 10A |
| Kapazität @ Vr, F | - |
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