Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von CY7C136AE-55NXI bereitgestellt werden.
vorrätig: 57655
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CY7C136AE-55NXI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 55ns |
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Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 52-PQFP (10x10) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 52-BQFP |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 55ns 52-PQFP (10x10) |
Zugriffszeit | 55ns |