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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IRFSL3207
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-262 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 330W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andere Namen | *IRFSL3207 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 75V 180A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |