Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von BCR 153F E6327 bereitgestellt werden.
vorrätig: 51224
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BCR 153F E6327
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 20mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TSFP-3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Andere Namen | BCR 153F E6327-ND BCR153FE6327 BCR153FE6327XT SP000014444 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 20mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |