Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von 2N5179 bereitgestellt werden.
vorrätig: 53035
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2N5179
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-72 |
Serie | - |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Betriebstemperatur | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 200MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 20dB |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 12V 50mA 200MHz 300mW Through Hole TO-72 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 25 @ 3mA, 1V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |