Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von GWM160-0055P3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 51143
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten GWM160-0055P3
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
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Supplier Device-Gehäuse | ISOPLUS-DIL™ |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
Leistung - max | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | ISOPLUS-DIL™ |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Typ FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A |
Basisteilenummer | GWM160 |