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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT41J512M8THU-15E:A
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.425 V ~ 1.575 V |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 82-FBGA |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 667MHz 13.5ns |
Uhrfrequenz | 667MHz |
Basisteilenummer | MT41J512M8 |
Zugriffszeit | 13.5ns |