Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von APTC90H12T2G bereitgestellt werden.
vorrätig: 56074
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten APTC90H12T2G
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
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Supplier Device-Gehäuse | SP2 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
Leistung - max | 250W |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | SP2 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET-Merkmal | Super Junction |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A |