vorrätig: 51060
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SD21330SA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | MT-3-A1 |
Serie | - |
Leistung - max | 1.5W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | 3-SIP |
Andere Namen | 2SD21330SACT |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 200MHz 1.5W Through Hole MT-3-A1 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 170 @ 500mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
Basisteilenummer | 2SD2133 |