Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MPS5179_D75Z bereitgestellt werden.
vorrätig: 57011
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MPS5179_D75Z
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 350mW |
Verpackung | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 15dB |
Frequenz - Übergang | 2GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 25 @ 3mA, 1V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
Basisteilenummer | MPS5179 |