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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PDTA115ET,215
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | TO-236AB (SOT23) |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | 1727-3011-1 568-2109-1 568-2109-1-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20mA |
Basisteilenummer | PDTA115 |