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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MJD50T4G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 400V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | - |
Leistung - max | 1.56W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | MJD50T4GOS MJD50T4GOS-ND MJD50T4GOSCT |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 300mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
Basisteilenummer | MJD50 |