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vorrätig: 56429
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten APTMC120AM55CT1AG
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
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Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 40A, 20V |
Leistung - max | 250W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | SP1 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 250W Chassis Mount SP1 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 55A (Tc) |