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EMF8T2R
- Mega -Quelle #: MEGA-EMF8T2R
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53941
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMF8T2R
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz, 320MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
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EMF8T2R FAQ
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