Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SI9945BDY-T1-GE3 bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI9945BDY-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
Leistung - max | 3.1W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A |
Basisteilenummer | SI9945 |