Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MR20H40DFR bereitgestellt werden.
vorrätig: 51722
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MR20H40DFR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Exposed Pad |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Speicherschnittstelle | SPI |
Speicherformat | RAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 50MHz 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Uhrfrequenz | 50MHz |