Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von TRS8E65C,S1Q bereitgestellt werden.
vorrätig: 54237
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten TRS8E65C,S1Q
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650V |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-2L |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0ns |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
Andere Namen | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
detaillierte Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 90µA @ 650V |
Strom - Richt (Io) | 8A (DC) |
Kapazität @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |