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vorrätig: 58376
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DTDG14GPT100
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | MPT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-243AA |
Andere Namen | DTDG14GPT100TR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 300 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
Basisteilenummer | DTDG14 |