Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von APTM100H45STG bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten APTM100H45STG
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
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Supplier Device-Gehäuse | SP4 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 9A, 10V |
Leistung - max | 357W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | SP4 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A |