vorrätig: 51017
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MMST5551-7
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 160V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-323 |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | MMST5551 MMST55517 MMST5551CT MMST5551CT-ND MMST5551DICT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-323 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
Basisteilenummer | MMST5551 |