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vorrätig: 59490
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2N5401G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 150V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 625mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Andere Namen | 2N5401G-ND 2N5401GOS |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 600mA |
Basisteilenummer | 2N5401 |