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vorrätig: 57052
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BCR142WE6327HTSA1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT323-3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | BCR 142W E6327 BCR 142W E6327-ND BCR142WE6327 BCR142WE6327HTSA1TR-NDTR BCR142WE6327XT SP000012269 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | BCR142 |