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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MB85RS2MTAPH-G-JNE2
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.8 V ~ 3.6 V |
Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-DIP |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Andere Namen | 865-1285 MB85RS2MTAPH-G-JNE2-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 2Mb (256K x 8) |
Speicherschnittstelle | SPI |
Speicherformat | FRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 40MHz 8-DIP |
Uhrfrequenz | 40MHz |