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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SD1685G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 60mA, 3A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-126ML |
Serie | - |
Leistung - max | 1.5W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-225AA, TO-126-3 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1.5W Through Hole TO-126ML |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 280 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 5A |