vorrätig: 53073
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SPB80P06P
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 64A, 10V |
Verlustleistung (max) | 340W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen | SP000012841 SPB80P06PT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5033pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |