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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten QSZ2TR
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A |
Transistor-Typ | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Supplier Device-Gehäuse | TSMT5 |
Serie | - |
Leistung - max | 1.25W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 300MHz, 280MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 1.5A 300MHz, 280MHz 1.25W Surface Mount TSMT5 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 270 @ 100mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1.5A |
Basisteilenummer | QSZ |