vorrätig: 59150
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMX1DXV6T1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
Serie | - |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 180MHz 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 6V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |