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SI3867DV-T1-E3
- Mega -Quelle #: MEGA-SI3867DV-T1-E3
- Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 52324
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI3867DV-T1-E3
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen | SI3867DV-T1-E3TR SI3867DVT1E3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.9A (Ta) |
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