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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PIMN31,115
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 420mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
Andere Namen | 1727-5166-2 568-6469-2 568-6469-2-ND 934061307115 PIMN31 T/R PIMN31 T/R-ND PIMN31,115-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 420mW Surface Mount 6-TSOP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | PIMN31 |