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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PBSS4230PAN,115
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A |
Transistor-Typ | - |
Supplier Device-Gehäuse | 6-HUSON-EP (2x2) |
Serie | - |
Leistung - max | 510mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
Andere Namen | 1727-1073-1 568-10201-1 568-10201-1-ND |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2A |