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NTGD4167CT1G
- Mega -Quelle #: MEGA-NTGD4167CT1G
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 58082
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NTGD4167CT1G
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Leistung - max | 900mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen | NTGD4167CT1GOSCT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 30 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.6A, 1.9A |
| Basisteilenummer | NTGD4167C |
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NTGD4167CT1G FAQ
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