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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IMD14T108
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 220 Ohms |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
Andere Namen | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 82 @ 100mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | MD14 |