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IMH9AT110
- Mega -Quelle #: MEGA-IMH9AT110
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 52134
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IMH9AT110
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
| Andere Namen | IMH9AT110-ND IMH9AT110TR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | *MH9 |
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IMH9AT110 FAQ
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