Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von VS-GB200TH120N bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten VS-GB200TH120N
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
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VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
Supplier Device-Gehäuse | Double INT-A-PAK |
Serie | - |
Leistung - max | 1136W |
Verpackung / Gehäuse | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Andere Namen | VSGB200TH120N |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
NTC-Thermistor | No |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 38 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 14.9nF @ 25V |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | - |
detaillierte Beschreibung | IGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 360A |
Konfiguration | Half Bridge |