Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von NE85633-T1B-R25-A bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NE85633-T1B-R25-A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23 |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | NE85633-T1B-R25-A-ND NE85633-T1B-R25-ATR NE85633T1BR25A |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 11.5dB |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 125 @ 20mA, 10V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | NE85633 |