vorrätig: 56900
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMG3T2R
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Andere Namen | EMG3T2R-ND EMG3T2RTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 1mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | *MG3 |