Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IXFK420N10T bereitgestellt werden.
vorrätig: 55796
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IXFK420N10T
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-264AA (IXFK) |
Serie | GigaMOS™ HiPerFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1670W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-264-3, TO-264AA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 47000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 670nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 420A (Tc) 1670W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 420A (Tc) |