Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IS61QDB42M18C-333M3I bereitgestellt werden.
vorrätig: 53280
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS61QDB42M18C-333M3I
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.71 V ~ 1.89 V |
Technologie | SRAM - Synchronous, QUAD |
Supplier Device-Gehäuse | 165-LFBGA (15x17) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 165-LBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 36Mb (2M x 18) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 333MHz 8.4ns 165-LFBGA (15x17) |
Uhrfrequenz | 333MHz |
Zugriffszeit | 8.4ns |