Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SIA912DJ-T1-GE3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 55756
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SIA912DJ-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Leistung - max | 6.5W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Andere Namen | SIA912DJ-T1-GE3TR SIA912DJT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A |
Basisteilenummer | SIA912 |